典型文献
芯片制造中的化学镀技术研究进展
文献摘要：
芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连.与这些技术相比,化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点,被人们期望应用于芯片制造中,从而在近年来得到大量的研究.本综述首先简介了芯片制造中导电互连包括芯片内互连、芯片3D封装硅通孔(TSV)、重布线层、凸点、键合、封装载板孔金属化等制程中传统制造技术与化学镀技术的对比,说明了化学镀用于芯片制造中的优势;然后总结了芯片化学镀的原理与种类、接枝与活化前处理方法和关键材料;并详细介绍了芯片内互连和TSV互连化学镀阻挡层、种子层、互连孔填充、化学镀凸点、再布线层、封装载板孔互连种子层以及凸点间键合的研究进展;且讨论了化学镀液组成及作用,超级化学镀填孔添加剂及机理等.最后对化学镀技术未来应用于新一代芯片制造中进行了展望.
文献关键词：
芯片导电互连;3D封装硅通孔;阻挡层;种子层;凸点;键合
中图分类号：
作者姓名：
叶淳懿;邬学贤;张志彬;丁萍;骆静利;符显珠
作者机构：
深圳大学材料学院 深圳518000
文献出处：
引用格式：
[1]叶淳懿;邬学贤;张志彬;丁萍;骆静利;符显珠-.芯片制造中的化学镀技术研究进展)[J].化学学报,2022(12):1643-1663
A类：
芯片导电互连
B类：
芯片制造,化学镀,使用物,物理气相沉积,化学气相沉积,电镀,热压键合,保形,工艺条件,设备成本,来得,简介,中导,封装,硅通孔,TSV,布线,凸点,装载,金属化,制程,传统制造,制造技术,芯片化,接枝,前处理方法,关键材料,阻挡层,种子层,连种,填孔,未来应用
AB值：
0.315631
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