典型文献
抗温度干扰的STT-MRAM随机数生成器及其安全性分析
文献摘要：
近年来,各向异性磁性材料因良好的随机特性为随机数发生器(Random Number Generator,RNG)等重要的硬件安全原语设计提供了一种新思路.已有的基于磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)的随机数发生器方案虽然具有更高的安全性、能效和集成度等优点,但依然无法有效解决输出序列随机性受温度影响的问题.文章提出了非均匀写入法和非固定参考法两种灵活的抗温度干扰的真随机数产生方法.两种方法在提升随机数电路输出随机性的同时尽可能抵消环境温度的干扰.实验结果表明,两种随机数产生方案产生的随机数的香农熵在97％左右,且以较高的通过率(>98.5％)通过美国国家标准与技术研究院(National Institute of Standards and Technology,NIST)测试.
文献关键词：
随机数生成器;磁随机存储器;抗温度干扰;非均匀写入;非固定参考
中图分类号：
作者姓名：
伍麟珺;刘洋;袁涛;胡玉鹏
作者机构：
湖南大学信息科学与工程学院,长沙 410012;湖南省交通运输厅科技信息中心,长沙 410004;湖南国科微电子股份有限公司,长沙 410100
文献出处：
引用格式：
[1]伍麟珺;刘洋;袁涛;胡玉鹏-.抗温度干扰的STT-MRAM随机数生成器及其安全性分析)[J].信息网络安全,2022(08):36-43
A类：
抗温度干扰,非均匀写入,非固定参考
B类：
STT,MRAM,随机数生成器,安全性分析,各向异性,磁性材料,随机特性,数发,发生器,Random,Number,Generator,RNG,硬件安全,原语,隧道结,Magnetic,Tunnel,Junction,MTJ,集成度,随机性,温度影响,入法,参考法,抵消,香农熵,通过率,National,Institute,Standards,Technology,NIST,磁随机存储器
AB值：
0.411508
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