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电针对局灶性脑缺血/再灌注大鼠大脑皮质胶质瘢痕形成的影响
文献摘要:
目的 观察电针对局灶性脑缺血/再灌注(I/R)大鼠大脑皮质胶质瘢痕形成的影响.方法 采用线栓法构建局灶性脑缺血/再灌注模型,选取"百会"穴(GV 20)及左侧"四关"穴(合谷LI 4/太冲LR 3)为电针穴位.78只雄性SD大鼠随机分为假手术组(sham)、局灶性脑缺血/再灌注(I/R)组、局灶性脑缺血/再灌注+电针(I/R+EA)组.再灌注后7 d,采用改良神经功能缺损评分(mNSS)评估神经功能缺损情况,HE染色观察缺血侧大脑皮质损伤情况,免疫荧光标记缺血侧大脑皮质胶质纤维酸性蛋白(GFAP)+/神经蛋白聚糖(neurocan)+、GFAP+/磷酸肌酸蛋白聚糖(phosphacan)+细胞,分析各组GFAP、neurocan及phosphacan平均免疫荧光强度.采用Real-time PCR分析各组缺血侧大脑皮质GFAP、neurocan及phosphacan mRNA含量.结果 与I/R组相比,I/R+EA组大鼠mNSS评分明显降低(P<0.01),脑组织损伤程度明显减轻.Sham组GFAP+/neurocan+、GFAP+/phosphacan+细胞非常少.I/R组星形胶质细胞胞体肥大,细胞突起增多、增粗,GFAP+/neurocan+和GFAP+/phosphacan+细胞明显多,而I/R+EA 组 GFAP+/neurocan+和 GFAP+/phosphacan+细胞明显较 I/R 组减少.此外,I/R+EA 组 GFAP、neurocan 及phosphacan平均免疫荧光强度,以及上述各指标的mRNA含量均明显低于I/R组(P<0.05).结论 电针可促进局灶性脑I/R大鼠神经功能恢复,减轻脑组织损伤,这可能与电针抑制大脑皮质胶质瘢痕形成有关.
文献关键词:
局灶性脑缺血/再灌注;胶质瘢痕;电针;实时定量聚合酶链反应;大鼠
中图分类号:
作者姓名:
胥虹贝;罗勇
作者机构:
贵州医科大学附属医院神经内科,贵阳 550004;重庆医科大学附属第一医院神经内科,重庆 400016
文献出处:
引用格式:
[1]胥虹贝;罗勇-.电针对局灶性脑缺血/再灌注大鼠大脑皮质胶质瘢痕形成的影响)[J].解剖学报,2022(06):705-710
A类:
R+EA,neurocan,phosphacan,neurocan+,phosphacan+
B类:
对局,局灶性脑缺血,再灌注,大脑皮质,胶质瘢痕形成,线栓法,百会,GV,四关,合谷,LI,太冲,LR,电针穴位,假手,sham,神经功能缺损评分,mNSS,神经功能缺损情况,HE,伤情,免疫荧光标记,胶质纤维酸性蛋白,蛋白聚糖,GFAP+,磷酸肌酸,荧光强度,Real,脑组织损伤,Sham,非常少,星形胶质细胞,肥大,细胞突起,神经功能恢复,实时定量聚合酶链反应
AB值:
0.183167
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