典型文献
在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制
文献摘要：
石墨烯的常压化学气相沉积(APCVD)生长通常在具有催化活性的Cu、铜镍(Cu-Ni)合金等金属基底表面进行,生长基底的单一性和模糊的生长机制大大限制了 APCVD在石墨烯大规模制备中的应用前景.使用乙醇作为液态碳源,在石墨烯的APCVD生长过程中,调控生长时间和生长基底,在铜箔、Cu-Ni合金和SiO2/Si基底表面实现了石墨烯的可控快速生长.1 min生长时间可在铜箔和Cu-Ni合金基底上分别生长高质量均匀的单层与双层石墨烯,5 min生长时间可在不具催化活性的SiO2/Si基底上完成石墨烯的生长.此外,在石墨烯生长过程中,采用气相色谱对液态碳源乙醇高温裂解后碳原子的去向进行分析,发现采用不同基底时,在APCVD乙醇裂解生长石墨烯的过程中CO和CO2的体积分数存在差异,以此推断不同基底表面上石墨烯生长行为的差异和生长过程中基底起到的催化作用.此工作对探明石墨烯的APCVD生长机制以及实现SiO2/Si基底上石墨烯的APCVD生长具有重要的意义.
文献关键词：
常压化学气相沉积(APCVD);石墨烯;气相色谱;金属基底;SiO;/Si
中图分类号：
作者姓名：
张召凯;宋也男
作者机构：
华东师范大学物理与电子科学学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海 200241
文献出处：
引用格式：
[1]张召凯;宋也男-.在不同基底上APCVD生长石墨烯及其生长机制)[J].微纳电子技术,2022(12):1343-1351
A类：
APCVD
B类：
长石,生长机制,常压,化学气相沉积,催化活性,铜镍,金属基底,单一性,模制,液态,碳源,生长过程,生长时间,铜箔,金和,SiO2,速生,双层石墨烯,石墨烯生长,高温裂解,碳原子,去向,上石,催化作用,明石
AB值：
0.213896
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
