典型文献
辉光放电质谱法测定高纯钨中10种杂质元素
文献摘要：
高纯钨广泛应用于电子信息行业,其电子特性很大程度上取决于其杂质含量,因此,有必要对高纯钨中杂质元素进行测定.通过优化辉光放电工艺参数、选择合适的同位素及分辨率,建立了辉光放电质谱法(GDMS)测定高纯钨中10种痕量杂质元素的分析方法.优化后的放电条件为:放电电流3.0 mA,放电气体流量500 mL/min,预溅射时间20 min.为提高痕量杂质元素的检测准确度,利用高纯钨标准样品对10种元素的相对灵敏度因子(RSF)进行了校正,获得了与基体匹配的RSF.方法中10种元素的检出限为0.005～0.019μg/g,定量限为0.017～0.064 μg/g.按照实验方法测定高纯钨中10种杂质元素,并用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的测定结果作为比较以验证准确性.结果表明:样品中杂质元素的含量为0.027～155.07 μg/g,质量分数小于100 μg/g的杂质元素,其结果相对标准偏差(RSD,n=6)均小于30％;质量分数大于100 μg/g的杂质元素,其结果RSD(n=6)小于10％.除Mg、Sn、Pb低于ICP-MS的检出限外,其余各杂质元素的测试结果与ICP-MS结果基本一致.
文献关键词：
辉光放电质谱法(GDMS);高纯钨;杂质元素;相对灵敏度因子(RSF)
中图分类号：
作者姓名：
余琼;翟宇鑫;连危洁;马兰;李爽;李明利
作者机构：
浙江药科职业大学,浙江宁波315500;中国兵器科学研究院宁波分院,浙江宁波315103
文献出处：
引用格式：
[1]余琼;翟宇鑫;连危洁;马兰;李爽;李明利-.辉光放电质谱法测定高纯钨中10种杂质元素)[J].冶金分析,2022(11):8-14
A类：
B类：
辉光放电质谱法,高纯钨,杂质元素,电子信息行业,电子特性,杂质含量,同位素,GDMS,痕量杂质,放电电流,mA,放电气体,气体流量,溅射时间,检测准确度,标准样品,种元素,相对灵敏度因子,RSF,基体匹配,检出限,定量限,照实,实验方法,电感耦合等离子体质谱法,ICP,测定结果,验证准确性,相对标准偏差,RSD,Mg,Sn,Pb
AB值：
0.229878
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