典型文献
高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结
文献摘要：
SiC陶瓷具有强共价键结构,表面扩散系数较低,其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一.利用Pr3Si2C2与SiC在～1150℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理,采用熔盐法,在SiC颗粒表面原位生长出Pr3Si2C2,促进了 Pr3Si2C2烧结助剂与SiC颗粒的均匀分散.通过电场辅助烧结,在1500℃低温下实现了 SiC陶瓷的高致密化(气孔率～0.3％),热导率达到106 W·m-1·K-1.通过对SiC陶瓷微观结构分析,其烧结过程为典型的液相烧结溶解—沉淀机制.本文Pr3Si2C2低温烧结助剂的开发为SiC陶瓷及其复合材料的低温烧结提供了实验依据.
文献关键词：
碳化硅;液相烧结;电场辅助烧结;镨硅碳;熔盐法
中图分类号：
作者姓名：
许洁;周小兵;徐凯;常可可;代建清;黄庆
作者机构：
昆明理工大学,云南 昆明650000;中国科学院 宁波材料技术与工程研究所,浙江 宁波315000
文献出处：
引用格式：
[1]许洁;周小兵;徐凯;常可可;代建清;黄庆-.高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结)[J].陶瓷学报,2022(03):448-454
A类：
Pr3Si2C2,镨硅碳
B类：
高致,碳化硅陶瓷,液相烧结,SiC,瓷具,共价键,表面扩散,扩散系数,低温烧结,烧结致密化,内学,共晶液相,相转变,熔盐法,原位生长,烧结助剂,均匀分散,电场辅助烧结,气孔率,热导率,微观结构分析,烧结过程,沉淀机制,发为
AB值：
0.29307
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