典型文献
一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计
文献摘要：
基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm2,典型功耗为11 mA@3.3 V.测试结果表明,在0.8 V～2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3 GHz～3.3 GHz,通过电容阵列实现了1 GHz的调谐带宽,在2.8 GHz频率时的典型相位噪声为-81 dBc/Hz@10 kHz,压控振荡器的典型增益为40 MHz/V.
文献关键词：
压控振荡器;可变电容;相位噪声
中图分类号：
作者姓名：
齐贺飞;王磊;王鑫;王绍权;张梦月
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]齐贺飞;王磊;王鑫;王绍权;张梦月-.一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计)[J].现代信息科技,2022(12):52-55
A类：
B类：
CMOS,低相噪,压控振荡器,无线通信,频带,带压,中心频率,GHz,mm2,功耗,mA,电压调节,电容阵列,调谐,相位噪声,dBc,kHz,MHz,可变电容
AB值：
0.370359
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