典型文献
籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能
文献摘要：
为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr3:Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置.生长出的LaBr3:Ce晶体在137 Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08％,衰减时间为20.1 ns.采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合Ф20 mm×5 mm溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr3:Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22 Na(511 keV).制备了6×6的LaBr3:Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm.利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm.制备出的LaBr3:Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域.
文献关键词：
溴化镧;能量分辨率;阵列;二维散点图;位置分辨率
中图分类号：
作者姓名：
张志城;方声浩
作者机构：
中国科学院福建物质结构研究所, 福建 福州350002
文献出处：
引用格式：
[1]张志城;方声浩-.籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能)[J].集美大学学报（自然科学版）,2022(06):565-569
A类：
坩埚下降法,DRS4,XP20D0,H8500
B类：
籽晶,铈掺杂,溴化镧,晶体生长,定向生,LaBr3,Ce,种过,保护装置,Cs,放射源,辐照,照下,能量分辨率,衰减时间,ns,多通道,采集系统,光电倍增管,探测器,列作,Na,keV,单根,波形分析法,二维散点图,位置分辨率,PET,医学成像,技术领域
AB值：
0.276172
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