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区域熔炼生产超高纯镉的工艺研究
文献摘要：
超高纯镉纯度为99.99999％,由其制备的CdZnTe晶体广泛用于光电器件、红外探测器、核辐射探测器等.超高纯镉的制备方式主要为区域熔炼法,研究表明杂质元素的平衡分离系数、熔区长度、区熔次数、区熔速度对工艺的提纯效果有直接影响.在高纯氢气的保护下,区熔速度为30～50 mm/h,前6次熔区长度为7～10 cm,后6次熔区长度为5～7 cm,经过12次区熔后,材料中的杂质5.77 ppm降低到0.1 ppm以下,满足了半导体及光电材料的应用需求.
文献关键词：
区域熔炼;制备;氢化还原;提纯;杂质
中图分类号：
作者姓名：
黄杰杰;何志达;李清宇;狄聚青
作者机构：
国家稀散金属工程技术研究中心 广东先导稀材股份有限公司,广东 清远 511517;广东先导微电子科技有限公司,广东 清远 511517;广东省高性能薄膜太阳能材料企业重点实验室 清远先导材料有限公司,广东 清远 511517
文献出处：
引用格式：
[1]黄杰杰;何志达;李清宇;狄聚青-.区域熔炼生产超高纯镉的工艺研究)[J].广东化工,2022(11):1-4
A类：
B类：
高纯,CdZnTe,光电器件,红外探测器,核辐射探测器,制备方式,区域熔炼法,杂质元素,分离系数,区长,区熔,熔速,提纯效果,氢气,ppm,光电材料,应用需求,氢化还原
AB值：
0.344641
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