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晶圆湿法蚀刻清洗工艺及流量控制发展
文献摘要：
对比两种集成电路制造湿法工艺设备的优缺点及未来发展趋势,对影响单片湿法清洗工艺中蚀刻率因素进行分析总结,介绍化学药液混合和制程喷吐中流量控制技术的发展,设计实验将两种化学药液流量控制阀件的蚀刻清洗效果对比,并对未来技术发展进行简要分析.
文献关键词：
集成电路;湿法蚀刻清洗;蚀刻率;化学药液;流量控制
中图分类号：
作者姓名：
谷康康;陶晓杰
作者机构：
合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院,安徽 合肥 230009;长鑫存储技术有限公司,安徽,合肥 230601
文献出处：
引用格式：
[1]谷康康;陶晓杰-.晶圆湿法蚀刻清洗工艺及流量控制发展)[J].清洗世界,2022(10):1-3,7
A类：
湿法蚀刻清洗,蚀刻率,化学药液
B类：
晶圆,清洗工艺,制发,集成电路制造,湿法工艺,工艺设备,单片,湿法清洗,制程,喷吐,中流,设计实验,流量控制阀,清洗效果,效果对比,未来技术
AB值：
0.263492
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