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铜锌锡硫硒太阳能电池Mo/CZTSSe界面调控研究进展
文献摘要：
Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4太阳能电池制备过程中Mo基底硒(硫)化反应产生较厚的Mo(Sx,Se1-x)2,以及SnS(e)与ZnS(e)的生成与挥发在Mo/CZTSSe界面处产生的孔洞,是限制器件性能提升的重要原因.针对这些问题,总结了Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞的生成原因及其对器件性能的影响.此外,还综述了金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等材料作为Mo/CZTSSe界面中间层在抑制Mo(Sx,Se1-x)2和孔洞产生中的作用.最后,展望了该领域未来的研究方向.
文献关键词：
铜锌锡硫硒;Mo/CZTSSe;界面调控;太阳能电池
中图分类号：
作者姓名：
崔宇博;赵超亮;张志;张梦云;徐艳苹;范丽波;郑直
作者机构：
河南理工大学 材料科学与工程学院,河南 焦作454000;许昌学院 化工与材料学院,表面微纳材料研究所,河南省微纳米能量储存与转换材料重点实验室,河南 许昌461000
文献出处：
引用格式：
[1]崔宇博;赵超亮;张志;张梦云;徐艳苹;范丽波;郑直-.铜锌锡硫硒太阳能电池Mo/CZTSSe界面调控研究进展)[J].化学研究,2022(02):95-102
A类：
B类：
铜锌锡硫硒,太阳能电池,Mo,CZTSSe,界面调控,调控研究,Cu2ZnSn,Sx,Se1,制备过程,较厚,SnS,发在,孔洞,限制器,器件性能,性能提升,氮化物,金属氧化物,金属硫化物,中间层
AB值：
0.344882
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