典型文献
星载1MHz GaN LLC变换器低反向导通损耗控制
文献摘要：
氮化镓(GaN)器件反向导通压降一般超过1.8V,400W 1MHz LLC变换器一次侧GaN器件反向导通损耗超过单管总损耗15％.该文提出一种应用于1MHz星载GaN LLC变换器一次侧开关管的低反向导通损耗控制,根据GaN器件结电容放电时间调整死区,在保证实现零电压软开关(ZVS)的前提下缩短GaN器件反向导通时间以降低反向导通损耗.所提控制基于数学模型,对GaN器件等效输出结电容与LLC死区内谐振电流进行推导,计算LLC一次侧GaN器件结电容放电时间作为不同工况下死区调节依据.使用抗辐照GaN器件搭建400W 1MHz LLC变换器原理样机,验证所提死区控制.与固定死区(100ns)策略相比,一次侧GaN器件的单管损耗在10％负载与满载下分别降低32％与16％,整机效率分别提高1％和0.2％.
文献关键词：
GaN;卫星应用;反向导通损耗;LLC变换器;死区
中图分类号：
作者姓名：
杨勇;宋大威;顾占彪;徐森锋;张之梁
作者机构：
南京航空航天大学航空电源重点实验室 南京 210016;中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]杨勇;宋大威;顾占彪;徐森锋;张之梁-.星载1MHz GaN LLC变换器低反向导通损耗控制)[J].电工技术学报,2022(24):6183-6190
A类：
反向导通损耗,零电压软开关
B类：
星载,1MHz,GaN,LLC,变换器,损耗控制,氮化镓,导通压降,8V,400W,单管,结电容,ZVS,谐振电流,流进,不同工况,区调,抗辐照,原理样机,死区控制,定死,100ns,管损,满载,整机,卫星应用
AB值：
0.249416
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