典型文献
碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响
文献摘要：
通过在前驱体中添加碳量子点(CQD),制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3(MAPbI3)薄膜,并以金(Au)和氟掺氧化锡(FTO)为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI3/FTO结构的阻变器件.测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响,并分析了其物理机制.结果 表明:通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比,降低器件运行电压的波动.基于导电通道模型,器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低,导电通道结构简化.
文献关键词：
阻变存储器;有机-无机杂化钙钛矿;碳量子点;导电细丝
中图分类号：
作者姓名：
陈晓婷;张晓晗;许嘉琪;赵晓宁
作者机构：
东北师范大学物理学院,吉林 长春 130024;东北师范大学物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学),吉林 长春 130024
文献出处：
引用格式：
[1]陈晓婷;张晓晗;许嘉琪;赵晓宁-.碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响)[J].物理实验,2022(10):7-13
A类：
B类：
碳量子点,杂化钙钛矿,阻变性能,前驱体,CQD,晶粒尺寸,CH3NH3PbI3,MAPbI3,Au,氧化锡,FTO,电极制备,阻变器件,掺杂浓度,物理机制,提升器,开关比,导电通道,性能提升,可能原因,晶界,碘离子,离子迁移,随机性,通道结构,结构简化,阻变存储器,导电细丝
AB值：
0.382489
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