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ZnO基MIS结构器件制备工艺与性能实验设计
文献摘要：
基于第3代氧化物半导体材料设计了一种金属-绝缘体-半导体(MIS)结构器件制备与表征的综合性实验.通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在C面蓝宝石衬底上合成了ZnO/ZnMgO多量子阱/ZnO结构,采用磁控溅射法分别在300、400和500℃下沉积厚度为50 nm的MgO绝缘层.采用紫外曝光、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和电子束蒸发工艺制备了MIS结构器件,器件具有良好的整流特性.
文献关键词：
多量子阱;金属-绝缘体-半导体结构;光电器件
中图分类号：
作者姓名：
咸冯林;徐林华;郑改革;赵立龙;裴世鑫
作者机构：
南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044
文献出处：
引用格式：
[1]咸冯林;徐林华;郑改革;赵立龙;裴世鑫-.ZnO基MIS结构器件制备工艺与性能实验设计)[J].实验室研究与探索,2022(12):19-22,33
A类：
B类：
ZnO,MIS,器件制备工艺,性能实验,实验设计,氧化物半导体,半导体材料,材料设计,绝缘体,制备与表征,综合性实验,金属有机化学气相沉积,化学气相沉积法,MOCVD,蓝宝石衬底,ZnMgO,多量子阱,磁控溅射法,沉积厚度,绝缘层,紫外曝光,电感耦合等离子体,ICP,刻蚀,电子束蒸发,蒸发工艺,工艺制备,整流,光电器件
AB值：
0.388075
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