典型文献
BiVO4/CuBi2O4薄膜光电极的制备及光电性能
文献摘要：
通过金属有机物分解法(MOD)协同光电化学沉积法,将p型氧化物半导体CuBi2O4沉积在BiVO4纳米薄膜上,形成包覆性异质结结构,制备了一种新型p-n异质结光阳极n-BiVO4/p-CuBi2O4,用于太阳能光电化学(Photoelectrochemical,PEC)水分解.研究结果表明,在1.23 V(vs.RHE)电势下,BiVO4/CuBi2O4异质结光阳极表现出优良的PEC水氧化性能,光电流密度达到2.8 mA/cm2,负载磷酸钴(Co-Pi)的BiVO4/CuBi2O4/Co-Pi光电极,光电流密度达到4.45 mA/cm2,分别为BiVO4电极光电流密度的3.1倍和4.9倍.X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、电化学阻抗谱(EIS)和能级结构图等结果也证实,BiVO4/CuBi2O4和BiVO4/CuBi2O4/Co-Pi复合电极材料在内建电场和能带弯曲作用下,光吸收特性增强,载流子界面转移电阻减小,具有良好的光电化学性能与稳定性.
文献关键词：
钒酸铋;p-n异质结;光电阳极;内建电场;光电化学水分解
中图分类号：
作者姓名：
刘家琪;李天保
作者机构：
太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024
文献出处：
引用格式：
[1]刘家琪;李天保-.BiVO4/CuBi2O4薄膜光电极的制备及光电性能)[J].高等学校化学学报,2022(04):42-48
A类：
光电化学沉积,光电化学水分解
B类：
BiVO4,CuBi2O4,光电极,光电性能,分解法,MOD,化学沉积法,氧化物半导体,纳米薄膜,包覆,异质结结构,光阳极,Photoelectrochemical,PEC,RHE,电势,水氧化,氧化性能,光电流,电流密度,mA,Co,Pi,极光,吸收光谱,UV,Vis,电化学阻抗谱,EIS,能级结构,结构图,复合电极材料,内建电场,光吸收特性,载流子,光电化学性能,钒酸铋,光电阳极
AB值：
0.298548
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
