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基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究
文献摘要：
界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能.为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥(Al/CuO-ESCB)和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响.结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间.
文献关键词：
纳米Al/CuO RMFs;半导体桥;阻挡层;电爆特性
中图分类号：
作者姓名：
史安然;周宇轩;沈云;张伟;叶迎华;沈瑞琪
作者机构：
南京理工大学化学与化工学院,江苏南京,210094;微纳含能器件工业和信息化部重点实验室,江苏南京,210094;南京理工大学空间推进技术研究所,江苏南京,210094;江苏警官学院警察指挥与战术系,江苏南京,210031
文献出处：
引用格式：
[1]史安然;周宇轩;沈云;张伟;叶迎华;沈瑞琪-.基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究)[J].爆破器材,2022(05):1-6
A类：
RMFs,ESCB,电爆特性
B类：
阻挡层,CuO,半导体桥,电爆性能,界面层,复合薄膜,反应性能,桥上,上集,磁控溅射,射工,工艺制备,激发时间
AB值：
0.186232
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