典型文献
基于二维α-In2Se3忆阻器的突触可塑性和学习行为
文献摘要：
忆阻器与生物突触极为相似,可以实现生物突触的基本功能,使其成为了新一代类脑神经计算的研究热点.在这项工作中,我们制造了基于二维α-In2Se3材料的忆阻器件,其表现出了优异的电学性能、较快的开关速度(16.4和18.0 ns)以及器件电导的连续可调性.同时,大多数基本的生物突触功能得以实现,如短时记忆(STM)、长时记忆(LTM)、四种不同类型的尖峰时间依赖可塑性(STDP)和双脉冲易化行为(PPF).更重要的是,我们系统性地研究了三种实现长时记忆的有效方法,其中,根据艾宾浩斯遗忘曲线成功地模拟了强化学习功能.这项工作将促进类脑神经计算以及人工智能在学习方面的研究发展.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
赵莹;裴逸菲;张子昌;李晓钰;王静娟;晏磊;何惠;周振宇;赵建辉;陈景升;闫小兵
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]赵莹;裴逸菲;张子昌;李晓钰;王静娟;晏磊;何惠;周振宇;赵建辉;陈景升;闫小兵-.基于二维α-In2Se3忆阻器的突触可塑性和学习行为)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(06):1631-1638
A类：
类脑神经计算
B类：
In2Se3,突触可塑性,学习行为,基本功能,忆阻器件,电学性能,ns,可调性,突触功能,短时记忆,STM,长时记忆,LTM,尖峰,时间依赖,STDP,双脉冲,易化,PPF,艾宾浩斯遗忘曲线,强化学习,学习功能,研究发展
AB值：
0.363207
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