典型文献
硅基氮化镓微机械谐振器研究
文献摘要：
GaN不仅具有与硅媲美的较高声速,而且也有与氮化铝相当(AlN)的大压电系数,所以是制作MEMS谐振器的有力备选材料.研究设计了 一款硅基压电氮化镓(GaN)MEMS谐振器.利用GaN中的二维电子气(2DEG)可作为开关嵌入电极的特性,通过GaN压电材料实现由电极、压电薄膜、电极组成薄膜微机械谐振器.工作时在两个电极之间的压电薄膜内产生厚度剪切振动模式,压电薄膜内部就形成了振荡,通过压电效应的正交应力(σx和σy)能够提供相关的应力场从而增加机电共振.使用微机电系统技术和平面加工工艺对谐振器进行了制作,GaN谐振单元物理尺寸90 μm2.采用了无需加载功率对于谐振器无损伤的XeF2气体释放硅基底(111)形成了 GaN谐振器,这样能够减少谐振器的粗糙度、较小残余应力,避免杂质和缺陷造成的散射.测试表明,谐振频率为12.56 MHz,谐振腔的品质因数为3 600.
文献关键词：
氮化镓;MEMS谐振器;二维电子气
中图分类号：
作者姓名：
郭兴龙;张玲玲;王九山
作者机构：
南通大学信息科学技术学院,江苏南通226019
文献出处：
引用格式：
[1]郭兴龙;张玲玲;王九山-.硅基氮化镓微机械谐振器研究)[J].微电子学与计算机,2022(03):101-105
A类：
微机械谐振器,XeF2
B类：
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AB值：
0.289505
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