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低功耗非对称性可调STDP突触电路设计
文献摘要：
基于65 nm CMOS工艺设计了一种可用于脉冲神经网络系统的低功耗、高能效、结构紧凑的突触电路.突触电路采用开关电容电路结构,直接接收来自神经元电路的脉冲信号,根据脉冲时间依赖可塑性(STDP)学习规则调节突触权重,并实现了权重学习窗口的非对称性调节,使突触电路可以适应不同情况.仿真结果表明,突触电路耗能约为0.4 pJ/spike.
文献关键词：
突触;CMOS;STDP;脉冲神经网络
中图分类号：
作者姓名：
王巍;张珊;赵汝法;张定冬;熊德宇;袁军
作者机构：
重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院,重庆400065
文献出处：
引用格式：
[1]王巍;张珊;赵汝法;张定冬;熊德宇;袁军-.低功耗非对称性可调STDP突触电路设计)[J].微电子学,2022(01):17-21
A类：
B类：
低功耗,非对称性,STDP,突触电路,电路设计,CMOS,工艺设计,脉冲神经网络,网络系统,高能效,结构紧凑,开关电容,电路结构,接接,收来,神经元电路,脉冲信号,脉冲时间依赖可塑性,学习规则,突触权重,权重学习,pJ,spike
AB值：
0.382792
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