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CFETR包层等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响
文献摘要：
基于CFETR工程设计,使用TOKSYS建立了CFETR极向场线圈、真空室壁和包层结构的等效二维模型.在三种平衡的等离子体位形下,分析了包层结构整体等效电阻率和极向不同位置的等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响.结果表明,垂直位移增长率随着包层整体等效电阻率的增加近似线性增大;降低极向±60°附近的等效电阻率,能减小垂直位移增长率.
文献关键词：
CFETR;垂直位移增长率;TOKSYS;等效电阻率
中图分类号：
作者姓名：
陈东;叶民友;毛世峰;陈树亮;李航;黄泰豪
作者机构：
中国科学技术大学物理学院,合肥 230026;中国科学院合肥物质科学研究院,合肥 230031;深圳大学,深圳 518061
文献出处：
引用格式：
[1]陈东;叶民友;毛世峰;陈树亮;李航;黄泰豪-.CFETR包层等效电阻率对等离子体垂直位移增长率的影响)[J].核聚变与等离子体物理,2022(01):91-96
A类：
等效电阻率,垂直位移增长率,TOKSYS
B类：
CFETR,包层,极向场线圈,真空室,二维模型,不同位置
AB值：
0.08921
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