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CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证
文献摘要：
水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现.为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析.结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97～1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65～0.82;模块钛酸锂层边缘区197 Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72～0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大.
文献关键词：
CFETR;水冷陶瓷增殖剂包层;中子学实验;产氚率
中图分类号：
作者姓名：
祝庆军;陈舞辉;鲍杰;赵子甲;杜华;黄凯;刘松林
作者机构：
中国科学院 等离子体物理研究所,安徽 合肥 230031;中国原子能科学研究院 核物理研究所,北京 102413;国防科学技术大学 文理学院,湖南 长沙 410073
文献出处：
引用格式：
[1]祝庆军;陈舞辉;鲍杰;赵子甲;杜华;黄凯;刘松林-.CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证)[J].原子能科学技术,2022(01):127-135
A类：
水冷陶瓷增殖剂包层,WCCB,氚自持,FNEDL3,中子学实验
B类：
CFETR,包层模,产氚率,中国聚变工程试验堆,氚增殖,热提取,屏蔽,设计工具,MCNP,DT,子环,TPR,中轴线,边缘位置,钛酸锂,边缘区,Au,反应率,射中
AB值：
0.222078
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