典型文献
SiO2/CeF3复合薄膜的电致发光
文献摘要：
采用真空电子束蒸发气相沉积技术在重掺杂n型硅衬底上制备了SiO2/CeF3复合薄膜电致发光器件.对器件中各膜层的微观结构和成分进行了表征,并研究了器件的电致发光特性.结果表明:器件在正反接时的电致发光光谱存在明显差异,相应的伏安特性曲线不对称.器件正接时,电致发光光谱在504 nm(绿光区)处和680 nm(红光区)处各出现一个发光峰;反接时,电致发光光谱除了在684 nm(红光区)处出现一个较弱的发光峰外,在434 nm处还出现了一个很强的蓝色发光峰.
文献关键词：
电致发光;氟化铈;二氧化硅;电子束气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
李贝贝;王小平;王丽军;包建
作者机构：
上海理工大学理学院,上海 200093
文献出处：
引用格式：
[1]李贝贝;王小平;王丽军;包建-.SiO2/CeF3复合薄膜的电致发光)[J].材料科学与工程学报,2022(06):956-960,968
A类：
氟化铈,电子束气相沉积
B类：
SiO2,CeF3,复合薄膜,电子束蒸发,蒸发气,沉积技术,硅衬底,电致发光器件,膜层,发光特性,正反,反接,接时,发光光谱,伏安特性曲线,绿光,红光,蓝色,二氧化硅
AB值：
0.272226
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