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KI界面改性实现钙钛矿太阳电池效率提升
文献摘要：
在低温制备的SnO2电子传输层(ETLs)和钙钛矿层之间插入KI插层,制备平面钙钛矿太阳电池;研究KI插层对SnO2 ETLs/钙钛矿吸收层界面的修饰作用及其对钙钛矿薄膜性质和器件性能的影响.研究结果表明,KI插层可促进钙钛矿薄膜的晶粒生长,并提升ETLs/钙钛矿层的界面载流子输运效率;虽然添加KI插层后引入的寄生吸收会造成电池短路电流(Jsc)略微降低,但也会显著提升开路电压(Voc)和填充因子(FF),从而使得刚性器件和柔性器件的光电转换效率均得到明显提高,刚性和柔性钙钛矿太阳电池的平均光电转换效分别从17.71％和14.52％提升到18.64％和17.46％.
文献关键词：
钙钛矿太阳电池;SnO2 ETLs;KI;界面修饰
中图分类号：
作者姓名：
蒋婷;张帆;王云帆;杨雅洁;赵德威;武莉莉;王文武;张静全;郝霞
作者机构：
四川大学新能源与低碳技术研究院,材料科学与工程学院,四川成都,610065;后续能源材料与器件教育部工程中心,四川成都,610065
文献出处：
引用格式：
[1]蒋婷;张帆;王云帆;杨雅洁;赵德威;武莉莉;王文武;张静全;郝霞-.KI界面改性实现钙钛矿太阳电池效率提升)[J].中南大学学报（自然科学版）,2022(08):2869-2877
A类：
B类：
KI,界面改性,钙钛矿太阳电池,太阳电池效率,低温制备,SnO2,电子传输层,ETLs,矿层,插层,修饰作用,钙钛矿薄膜,膜性,器件性能,晶粒生长,载流子,输运效率,寄生吸收,短路电流,Jsc,略微,开路电压,Voc,填充因子,FF,柔性器件,光电转换效率,界面修饰
AB值：
0.318761
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