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基于热效应的长脉冲激光对硅基PIN恢复时间影响的研究
文献摘要：
研究了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器输出信号的恢复时间影响机制,基于热效应,建立了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器恢复时间的模型.实验测量了不同偏压、脉宽和能量密度下硅基PIN探测器的恢复时间,得到了恢复时间的变化规律.结果表明:偏置电压对恢复时间几乎没有影响,而脉宽和能量密度对其影响较大.这主要是因为脉宽和能量密度引起的温度变化比较显著,而温度影响非平衡载流子寿命,从而导致其恢复时间的变化.
文献关键词：
长脉冲激光;硅基PIN光电探测器;恢复时间
中图分类号：
作者姓名：
李辛垒;魏智;高乐;金光勇
作者机构：
长春理工大学 物理学院,长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]李辛垒;魏智;高乐;金光勇-.基于热效应的长脉冲激光对硅基PIN恢复时间影响的研究)[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2022(03):21-27
A类：
B类：
热效应,长脉冲激光,硅基,PIN,恢复时间,光电探测器,输出信号,实验测量,偏压,脉宽,能量密度,偏置电压,比较显著,温度影响,非平衡,载流子寿命
AB值：
0.212463
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