典型文献
二氧化钛/硅异质结光电导传感器的阻抗特性研究
文献摘要：
采用喷雾热解法在单晶硅(Si)上制备二氧化钛(TiO2)薄膜,以金属铟作为背电极构成TiO2/Si异质结光电导传感器.采用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对样品的晶体微结构及表面形貌进行表征,通过紫外可见光谱研究TiO2薄膜的光学吸收性能,在不同光照强度(5、10、15、20 mW·cm-2)下通过高精度数字电桥TH2828测试异质结的交流阻抗,并给出了等效电路并解释其光电导机制.
文献关键词：
TiO2/Si异质结;交流阻抗;光电导机制
中图分类号：
作者姓名：
周小岩;韩立立;张翔翔;王立鑫;杨喜峰
作者机构：
中国石油大学(华东)理学院,山东 青岛 266580
文献出处：
引用格式：
[1]周小岩;韩立立;张翔翔;王立鑫;杨喜峰-.二氧化钛/硅异质结光电导传感器的阻抗特性研究)[J].江西师范大学学报（自然科学版）,2022(04):394-398,405
A类：
TH2828,光电导机制,电导机制
B类：
二氧化钛,硅异质结,电导传感器,阻抗特性,喷雾热解法,单晶硅,Si,TiO2,背电极,原子力显微镜,AFM,拉曼光谱,表面形貌,紫外可见光谱,光学吸收性能,光照强度,mW,数字电,电桥,交流阻抗,等效电路
AB值：
0.258527
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