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氧化亚铜/多孔硅复合材料的制备及其电化学性能
文献摘要：
为研究氧化亚铜/多孔硅(Cu2O/PS)复合材料的制备及其电化学性能,以沉积时间为变量,采用电化学沉积法在p型多孔硅(PS)上沉积不同含量的氧化亚铜,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)表征Cu2O/PS复合材料样品的形貌和结构,利用电化学工作站进行循环伏安(CV)、恒流充放电(CP)和交流阻抗(IMP)等电化学性能测试,采用BET测试法表征样品的比表面积.结果表明:Cu2O晶粒在多孔硅的孔壁和表层沿(111)和(200)晶面择优生长,随着沉积时间的增加,Cu2O晶粒聚集成珊瑚状.复合材料展现出良好的电化学性能,当充电电流为0.01 mA时,沉积时间为90 min的复合材料样品的比容量为1149 mF/g,约为多孔硅的26倍.
文献关键词：
氧化亚铜;多孔硅;沉积时间;电化学性能
中图分类号：
作者姓名：
杜冀川;严达利;夏曙光;范琳;李申予
作者机构：
天津师范大学物理与材料科学学院,天津300387;河北工业大学化工学院,天津300401
文献出处：
引用格式：
[1]杜冀川;严达利;夏曙光;范琳;李申予-.氧化亚铜/多孔硅复合材料的制备及其电化学性能)[J].天津师范大学学报（自然科学版）,2022(04):17-22
A类：
B类：
氧化亚铜,多孔硅,电化学性能,Cu2O,PS,沉积时间,电化学沉积,化学沉积法,电化学工作站,循环伏安,CV,恒流充放电,CP,交流阻抗,IMP,BET,测试法,比表面积,孔壁,晶面,择优,优生,晶粒聚集,珊瑚,充电电流,mA,比容量,mF
AB值：
0.271675
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