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预热温度对Sb2(S,Se)3薄膜性能的影响
文献摘要：
通过溶胶凝胶法研究不同预热温度(140℃、170℃、200℃、230℃)对Sb2(S,Se)3薄膜性能及其太阳电池转化效率的影响,利用XRD、Raman、SEM、UV、光电化学测试对Sb2(S,Se)3薄膜结构与光电性能进行表征,并对制备的薄膜器件进行I-V特性曲线表征.由XRD衍射和Raman散射测试表明,硒化后的样品均掺入了Se原子.预热温度为200℃时,Sb2(S,Se)3的(120)、(130)、(230)衍射峰相对强度最大,表明晶体结晶质量提升的同时,具有一定取向.SEM表征发现,Sb2(S,Se)3薄膜的形貌以及薄膜表面平整度与前驱体的预热温度密切相关;合适的衬底预热温度(200℃)可以快速将有机溶剂分解挥发,使Sb2S3前驱体薄膜迅速沉积在衬底表面.200℃时Sb2(S,Se)3薄膜光电性能最好,暗电流相对最平稳,此时带隙值为1.37 eV,制备出的太阳电池效率为0.386％.
文献关键词：
溶胶凝胶法;预热温度;Sb2(S;Se)3薄膜;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
崔晓荣;白晓彤;周炳卿;张林睿
作者机构：
内蒙古师范大学 物理与电子信息学院,内蒙古 呼和浩特 010022;内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古 呼和浩特 010022
文献出处：
引用格式：
[1]崔晓荣;白晓彤;周炳卿;张林睿-.预热温度对Sb2(S,Se)3薄膜性能的影响)[J].内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）,2022(03):285-291,298
A类：
B类：
预热温度,Se,膜性能,溶胶凝胶法,转化效率,Raman,UV,光电化学,电化学测试,薄膜结构,光电性能,薄膜器件,特性曲线,测试表明,硒化,掺入,相对强度,结晶质量,征发,表面平整度,前驱体,衬底,速将,有机溶剂,Sb2S3,暗电流,带隙,eV,太阳电池效率
AB值：
0.273061
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