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典型文献
二硫化钨薄膜的制备及发光性能
文献摘要:
采用常压化学气相沉积(APCVD)法在SiO2/Si(300 nm)衬底上制备最大尺寸为74.22μm的多层二硫化钨(WS2)薄膜,并在蓝宝石衬底上合成边缘清晰、形状规则、最大尺寸为41.89μm的WS2薄膜.通过光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱仪和光致发光谱仪(PL)等对制备的样品进行表征,并结合样品的形貌尺寸分析生长温度、钨源和氯化钠(NaCl)用量比例、不同衬底等实验参数对生长WS2薄膜的影响.实验结果表明:温度对APCVD生长WS2薄膜影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS2薄膜,温度越高,薄膜形状越规则;在最佳温度下,波数差越小,薄膜层数越少,晶粒缺陷越少,发光强度越高;不同温度对应的钨源和氯化钠用量比不同,加入适量的氯化钠有助于提高反应系统中钨源的过饱和度,促进反应顺利进行,更有利于WS2薄膜生长;不同衬底制备WS2薄膜的生长系统所需生长温度不同,在相同的实验条件下,蓝宝石衬底上所需的生长温度更高.
文献关键词:
二硫化钨;化学气相沉积法;晶体生长;Raman光谱;光致发光谱;发光性能
作者姓名:
刘奇英;薛思敏;王彤
作者机构:
兰州交通大学数理学院,兰州730070
引用格式:
[1]刘奇英;薛思敏;王彤-.二硫化钨薄膜的制备及发光性能)[J].吉林大学学报(理学版),2022(06):1446-1451
A类:
APCVD
B类:
二硫化钨,钨薄膜,发光性能,常压,SiO2,大尺寸,WS2,蓝宝石衬底,形状规则,光学显微镜,OM,Raman,光谱仪,光致发光谱,PL,尺寸分析,NaCl,高结晶,结晶质量,波数,膜层,层数,越少,晶粒,发光强度,氯化钠用量,加入适量,过饱和度,顺利进行,薄膜生长,实验条件,化学气相沉积法,晶体生长
AB值:
0.281301
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