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应变对双层MoSe2电子结构作用的第一性原理研究
文献摘要：
本文以不同堆垛方式,构建了5种双层MoSe2结构,分别记为AA、AA1、A1B、AB、AB1.基于第一性原理计算,对5种结构进行结构优化,优化结果显示AA1堆垛方式最为稳定.为探究应变对AA1结构的电子特性的调控作用,对AA1结构施加了-10％～10％的平面双轴应变.能带结构的计算结果表明压缩应变和拉伸应变分别可以改变价带顶和导带底的位置,但是不能让双层MoSe2从间接能隙半导体变成直接能隙半导体.在应变作用下(2.5％压缩应变外),AA1结构的能隙值不断减小.在10％的拉伸应变作用下,能隙值甚至减小到0,让双层MoSe2变为了金属.投影态密度结果表明价带顶和导带底处主要是Mo d和Se p轨道的杂化作用.而双层Mo与Mo原子间距dMo-Mo,Mo与Se原子间的键长dMo-Se,Se-Mo-Se间的夹角α对投影态密度分布都有调控作用.
文献关键词：
应变;双层MoSe2;能带;投影态密度;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
任一鸣;薛丽;胡正龙;胡永红
作者机构：
湖北科技学院 电子与信息工程学院,湖北 咸宁 437000
文献出处：
引用格式：
[1]任一鸣;薛丽;胡正龙;胡永红-.应变对双层MoSe2电子结构作用的第一性原理研究)[J].湘潭大学学报（自然科学版）,2022(06):53-58
A类：
A1B,AB1,投影态密度,dMo
B类：
MoSe2,电子结构,结构作用,第一性原理研究,堆垛方式,别记,记为,AA1,第一性原理计算,电子特性,双轴应变,能带结构,压缩应变,拉伸应变,变价,价带,导带,能隙,应变作用,底处,原子间,键长,夹角,密度分布,布都有
AB值：
0.255914
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