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CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+UCO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U
文献摘要：
本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的吸附特性进行了计算和分析.结果表明,Cu掺杂可以显著提高CO在催化剂表面的吸附性能,顶位是CO最稳定的吸附位,CO在空穴位上的吸附能力很弱.与理想表面相比,线性缺陷的构造可以进一步提高CO在催化剂表面的吸附性能.对吸附构型PDOS的分析表明,大量的轨道杂化是CO在Cu1/CeO2(110)表面吸附性能较强的原因.
文献关键词：
吸附;CO-SCR;氧缺陷;密度泛函理论;Cu掺杂
中图分类号：
作者姓名：
张佳松;王辉;王宁;孙健伟;杨建成
作者机构：
哈尔滨工业大学 能源科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150006;河北工业大学 能源与环境工程学院,天津 300000
文献出处：
引用格式：
[1]张佳松;王辉;王宁;孙健伟;杨建成-.CO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+UCO在不同氧缺陷Cu1/CeO2(110)表面的吸附:DFT+U)[J].燃料化学学报（中英文）,2022(03):326-336
A类：
DFT+UCO,DFT+U
B类：
氧缺陷,Cu1,CeO2,量子化学,密度泛函理论,吸附特性,吸附性能,空穴,穴位,吸附能力,很弱,线性缺陷,吸附构型,PDOS,轨道杂化,表面吸附,SCR
AB值：
0.291563
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