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p-GaN HEMT器件动态栅应力下的性能退化机理
文献摘要：
为了研究p型栅氮化镓高电子迁移率晶体管(p-GaN HEMT)在动态栅应力下的电学特性退化机理,设计了一种双管控制快速切换测试电路,在施加动态栅应力后300 ns内快速测量器件的导通电阻,并进行了对比实验和仿真分析.结果表明,在施加300 s有效动态栅应力后,器件的阈值电压基本保持不变,而导通电阻随应力施加时间、频率的增大呈明显增加趋势,且退化率最高达到10.82％.在器件的开启、关断阶段,空穴热载流子会注入到沟道层,最终导致器件导通电阻的退化;但是在导通持续、关断持续阶段由于没有热载流子产生,该应力下器件电学参数保持稳定.综上,器件导通电阻在动态栅应力下的退化主要是由开启、关断阶段的空穴热载流子注入引起的.
文献关键词：
p-GaN HEMT;测试电路;动态栅应力;导通电阻退化
中图分类号：
作者姓名：
黄静雯;李胜;张弛;刘斯扬;孙伟锋
作者机构：
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京210096
文献出处：
引用格式：
[1]黄静雯;李胜;张弛;刘斯扬;孙伟锋-.p-GaN HEMT器件动态栅应力下的性能退化机理)[J].东南大学学报（自然科学版）,2022(06):1130-1136
A类：
动态栅应力,导通电阻退化
B类：
GaN,HEMT,性能退化,退化机理,氮化镓高电子迁移率晶体管,电学特性,双管,快速切换,测试电路,ns,快速测量,测量器,阈值电压,加时,退化率,关断,断阶,空穴,热载流子,子会,沟道,电学参数
AB值：
0.237209
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