典型文献
Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列材料的制备及其电化学特性
文献摘要：
以泡沫铜为原料,通过碱性氧化蚀刻、氨气退火、交替沾蘸法制备Cu3N纳米线阵列为核、ZnAl层状双氢氧化物(ZnAl-LDH)为壳的纳米线阵列材料,研究制备工艺对纳米线阵列及其中间产物形貌的影响,以及Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列的电化学特性.结果表明,Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列集合了多孔、超薄的二维LDH壳层、高导电性的一维Cu3N核的结构特征,展现出高单位面电容和高能量密度的电化学特性,未来有望用作高性能超级电容器的电极材料.
文献关键词：
纳米线阵列;层状双氢氧化物;交替沾蘸法;超级电容器
中图分类号：
作者姓名：
周昊涵;魏铭江;胡忆河;黄新堂
作者机构：
华中师范大学物理科学与技术学院,湖北 武汉 430079;香港城市大学材料科学与工程系,香港 999077
文献出处：
引用格式：
[1]周昊涵;魏铭江;胡忆河;黄新堂-.Cu3N@ZnAl-LDH纳米线阵列材料的制备及其电化学特性)[J].中国高新科技,2022(18):35-38
A类：
交替沾蘸法
B类：
Cu3N,ZnAl,LDH,纳米线阵列,电化学特性,泡沫铜,碱性氧化,蚀刻,氨气,退火,层状双氢氧化物,制备工艺,中间产物,超薄,高导电性,高能量密度,超级电容器,电极材料
AB值：
0.171483
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