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AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
文献摘要：
微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高.AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料.主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势.
文献关键词：
AlN;烧结技术;烧结助剂
中图分类号：
作者姓名：
王露露;马北越;刘春明;邓承继;于景坤
作者机构：
东北大学 材料科学与工程学院 辽宁沈阳 110819;东北大学 冶金学院 辽宁沈阳 110819;武汉科技大学 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室 湖北武汉430081
文献出处：
引用格式：
[1]王露露;马北越;刘春明;邓承继;于景坤-.AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展)[J].耐火材料,2022(02):180-184
A类：
B类：
AlN,陶瓷烧结,烧结技术,性能优化,微电子技术,片基,基板,封装材料,材料性能,高热,热导率,线膨胀系数,介电常数,耐高温,耐腐蚀性能,烧结助剂
AB值：
0.263236
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