典型文献
K-M花样分析法测定薄晶体厚度和消光距离的不确定度评定
文献摘要：
本文通过分析200 kV加速电压条件下,单晶Si薄膜样品的透射电子显微镜(TEM)双束会聚束衍射(CBED)Kossel-M?llenstedt(K-M)花样,测定了单晶Si薄膜样品的局部厚度和Si晶体(400)晶面的消光距离ξ400.分析了影响测量不确定度的因素,并运用一阶偏导的方法讨论了各个因素对测量不确定度的影响系数,依据GB/T 27418-2017《测量不确定度评定与表示》对实验估计值进行了不确定度评定.结论如下:被测Si晶体局部厚度的实验估计值为239 nm,其合成标准不确定度为5 nm,相对标准不确定度为2.2％;包含概率为0.95时,包含因子为2.07,扩展不确定度为11 nm;加速电压为200 kV时,Si晶体(400)晶面的消光距离ξ400的实验估计值为194 nm,合成标准不确定度为20 nm;包含概率为0.85时,包含因子为1.49,扩展不确定度为30 nm.影响试样厚度t0合成标准不确定度的主要因素是相机常数、加速电压和试样厚度;影响消光距离ξ合成标准不确定度的主要因素是相机常数、加速电压和消光距离.双束K-M花样测量数据的测量不确定度u(?θi)对消光距离不确定度的影响约是对试样厚度不确定度影响的n i(ξ/t)3(ni为正整数,ni≥1)倍,对拟合直线斜率的不确定度的影响是对截距不确定度影响的ni倍.如果试样有一定厚度,即ni>1,则用TEM双束会聚束衍射K-M花样分析薄晶体厚度的不确定度较小,而用此方法分析消光距离的不确定度较大.
文献关键词：
会聚束电子衍射;厚度测定;消光距离;不确定度
中图分类号：
作者姓名：
娄艳芝;李玉武
作者机构：
中国航发北京航空材料研究院, 北京 100095;国家环境分析测试中心, 北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]娄艳芝;李玉武-.K-M花样分析法测定薄晶体厚度和消光距离的不确定度评定)[J].物理学报,2022(14):373-382
A类：
薄晶体厚度,消光距离,CBED,Kossel,llenstedt,会聚束电子衍射
B类：
花样,kV,加速电压,压条,单晶,Si,透射电子显微镜,TEM,双束,晶面,偏导,方法讨论,影响系数,测量不确定度评定,估计值,相对标准不确定度,扩展不确定度,试样厚度,t0,测量数据,ni,正整数,直线斜率,截距,厚度测定
AB值：
0.163848
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