典型文献
SiCf/TiAl复合材料界面反应及热稳定性
文献摘要：
采用真空吸铸法制备了 SiCf/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定.结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成.对复合材料进行800℃热暴露实验,结果显示,界面反应层随热暴露时间的延长而增长,且在长大过程中出现了分层现象.根据热暴露后反应层厚度随时间的变化规律,绘制出800℃界面反应的动力学曲线,并推测出界面生长速率.热暴露200h后的界面反应产物共有4层,从纤维一侧到基体一侧分别是细晶TiC层、粗晶TiC层、(Ti,Zr)5Si4层和Ti3Sn+Ti2AlC层.分别对制备态和热暴露态的SiC/TiAl复合材料界面反应产物的形成机理进行了分析,得出热暴露过程中界面分层出现的主要原因是Ti2AlC新相的生成消耗了部分TiC相.
文献关键词：
SiCf/TiAl复合材料;真空吸铸;界面反应层产物;元素扩散
中图分类号：
作者姓名：
沈莹莹;张国兴;贾清;王玉敏;崔玉友;杨锐
作者机构：
中国科学院金属研究所师昌绪先进材料创新中心 沈阳110016;中国科学技术大学材料科学与工程学院 沈阳110016
文献出处：
引用格式：
[1]沈莹莹;张国兴;贾清;王玉敏;崔玉友;杨锐-.SiCf/TiAl复合材料界面反应及热稳定性)[J].金属学报,2022(09):1150-1158
A类：
5Si4,Ti3Sn+Ti2AlC,界面反应层产物
B类：
SiCf,TiAl,热稳定性,真空吸铸,TEM,层进,元素扩散,扩散分析,等轴细晶,TiC,钛合金,合金涂层,粗晶,热暴露,暴露时间,长大,分层现象,出界,面生,生长速率,200h,一侧,Zr,形成机理,界面分层
AB值：
0.265643
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