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固溶处理对低膨胀GH2909高温合金奥氏体晶粒长大的影响
文献摘要：
为了分析固溶温度和时间对GH2909高温合金奥氏体晶粒长大的影响,获得GH2909合金奥氏体晶粒长大规律,对GH2909高温合金在不同固溶温度(1000～1080℃)和不同固溶时间(1～4 h)下进行固溶处理.对不同固溶处理工艺后的GH2909合金奥氏体晶粒平均尺寸进行测量,建立了 GH2909合金固溶处理时奥氏体晶粒长大模型.结果表明,GH2909合金奥氏体晶粒随固溶温度和时间的增加而逐渐长大,组织中的Laves相逐渐回溶,且当固溶温度小于1020℃时,GH2909合金具有较好的抗奥氏体晶粒粗化能力,可以有效指导GH2909合金锻造过程中的晶粒度控制.
文献关键词：
低膨胀GH2909高温合金;奥氏体;晶粒长大;固溶处理
中图分类号：
作者姓名：
陈琦;周扬;付健辉
作者机构：
成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司,四川成都 610303;海洋装备用金属材料及其应用国家重点实验室,辽宁鞍山114009
文献出处：
引用格式：
[1]陈琦;周扬;付健辉-.固溶处理对低膨胀GH2909高温合金奥氏体晶粒长大的影响)[J].金属热处理,2022(09):87-91
A类：
GH2909
B类：
固溶处理,低膨胀,高温合金,固溶温度,温度和时间,固溶时间,处理工艺,寸进,奥氏体晶粒长大模型,Laves,回溶,金具,晶粒粗化,有效指导,锻造,晶粒度,粒度控制
AB值：
0.166267
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