典型文献
金属掺杂TaN-Ag复合薄膜的制备及热稳定性的研究
文献摘要：
薄膜电阻作为集成电路的基本器件,起着非常重要的作用.TaN掺Ag复合薄膜具有电阻可调范围宽、精度高等优点,是制备薄膜电阻的理想材料.采用磁控溅射方法在单晶Si(100)片上制备TaN-Ag复合薄膜,研究了掺Ag量和退火温度对薄膜电学性能和表面形貌的影响.研究发现,Ag质量分数为0和1.25％时,在300℃退火后薄膜电阻保持稳定,当Ag质量分数增加至11.72％和16.68％时,在200℃退火后,电阻值发生了较大的漂移,在300℃退火后,薄膜性能基本已消失.
文献关键词：
复合薄膜;电阻性能;退火;热稳定性
中图分类号：
作者姓名：
周美辰
作者机构：
山西机电职业技术学院,山西 长治 046011
文献出处：
引用格式：
[1]周美辰-.金属掺杂TaN-Ag复合薄膜的制备及热稳定性的研究)[J].山西化工,2022(02):13-15
A类：
B类：
金属掺杂,TaN,Ag,复合薄膜,热稳定性,薄膜电阻,集成电路,磁控溅射,单晶,Si,退火温度,电学性能,表面形貌,电阻值,漂移,膜性能,电阻性能
AB值：
0.296123
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