典型文献
质子轰击钨靶表面时的电子发射产额与靶温度的相关性研究
文献摘要：
在中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器国家实验室测量了能量为50～250keV的质子入射不同温度下钨靶表面的电子发射产额.实验结果发现,不同能量的质子引起的电子发射产额均随着靶温度的升高而降低;利用功函数对温度的依赖性定性地解释了该结果.在不同靶温度下,总电子发射产额与电子能损的比值随着质子能量的增加而逐渐变小;利用靶原子不同壳层中电子之间的电离竞争机制来解释实验结果.
文献关键词：
质子;电子发射产额;阈值速度;功函数
中图分类号：
作者姓名：
曾利霞;周贤明;梅策香;程锐;张小安;徐忠锋
作者机构：
咸阳师范学院与中国科学院近代物理研究所联合共建:离子束与光物理实验室,陕西咸阳712000;西安交通大学激光和粒子束科学与技术研究所,西安710049;中国科学院近代物理研究所,兰州730000
文献出处：
引用格式：
[1]曾利霞;周贤明;梅策香;程锐;张小安;徐忠锋-.质子轰击钨靶表面时的电子发射产额与靶温度的相关性研究)[J].原子核物理评论,2022(02):232-237
A类：
电子发射产额,中国科学院近代物理研究所,250keV,电子能损
B类：
质子,轰击,兰州,重离子加速器,国家实验室,入射,功函数,电离,竞争机制,阈值速度
AB值：
0.171105
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