典型文献
3-五唑基吡啶及其衍生物作为N5-离子前体的理论研究
文献摘要：
高能五唑离子盐的合成是含能材料领域的研究热点,五唑阴离子的制备是合成高能五唑离子盐的关键步骤.为了拓宽五唑阴离子的来源,寻求稳定性更好,性能更优的五唑阴离子前体,采用密度泛函理论计算研究了3-五唑基吡啶及其衍生物的桥连C—N键和五唑环的稳定性.结果表明:除—OH、—OMe、—N(Me)2对位取代物外,3-五唑基吡啶及其—NO2、—CN、—NF2对位取代,—NO2、—CN、—NF2、—OH、—OMe、—N(Me)2间位取代,—NO2、—CN、—NF2、—OH、—OMe、—N(Me)2对位和间位双取代物的桥连C—N键断裂所需的能量Ea1均小于苯基五唑,说明这些化合物比苯基五唑更易于得到五唑阴离子.—OMe、—N(Me)2对位取代,—OMe、—N(Me)2间位和对位双取代物的五唑环破裂的能垒Ea2与苯基五唑相当,说明这些化合物的五唑环具有较好的稳定性.—N(Me)2间位取代物的Ea1和Ea2的差值ΔE最小,说明该化合物在切断桥连C—N键获得N5-离子过程中,最易维持五唑环的稳定.相比于苯基五唑,—N(Me)2间位取代和双取代的3-五唑基吡啶具有较低的ΔEa1、较高的ΔEa2和较低的ΔE,说明其具有替代苯基五唑作为五唑阴离子前体的潜力.
文献关键词：
五唑阴离子前体;密度泛函理论;稳定性
中图分类号：
作者姓名：
袁万里;江毕涛;章冲;孙呈郭;高超;胡炳成;杜杨
作者机构：
南京理工大学化学与化工学院,江苏 南京 210094
文献出处：
引用格式：
[1]袁万里;江毕涛;章冲;孙呈郭;高超;胡炳成;杜杨-.3-五唑基吡啶及其衍生物作为N5-离子前体的理论研究)[J].含能材料,2022(12):1237-1244
A类：
五唑,五唑阴离子,五唑阴离子前体,Ea1,Ea2
B类：
吡啶,衍生物,N5,含能材料,材料领域,关键步骤,求稳,密度泛函理论计算,桥连,OMe,物外,NO2,CN,NF2,苯基,能垒,切断,断桥
AB值：
0.119618
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