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一种高PSRR带隙基准电压源的设计
文献摘要：
随着集成电路产业的飞速发展,电子行业对于模拟集成电路的性能提出了更高的要求,如何设计出更高性能的带隙基准引发了许多学者的思考.在这样的背景下,针对高电源电压抑制比(Power supply voltage rejection ratio,PSRR)带隙基准展开了研究,通过选用共源共栅结构运放和在带隙基准电压源主体电路的输出端添加RC低通滤波器两种设计优化策略来改善电路的PSRR性能.基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,使用Cadence软件进行电路设计与版图验证.仿真结果表明,温度-40℃ ～85℃,输出带隙基准电流为5.017μA,输出带隙基准电压为1.21 V,电路的温度系数为6.437 ppm/℃,电源电压抑制比为-90.62 dB,版图面积为8770.06μm2.版图通过了DRC与LVS验证,电路后仿真得到的性能与前仿真结果差异不大,可以满足性能要求.
文献关键词：
带隙基准;高电源电压抑制比;低温度系数;共源共栅运放
中图分类号：
作者姓名：
崔佳旭;李志远;孙艳梅
作者机构：
黑龙江大学 电子工程学院,哈尔滨150080
文献出处：
引用格式：
[1]崔佳旭;李志远;孙艳梅-.一种高PSRR带隙基准电压源的设计)[J].黑龙江大学自然科学学报,2022(05):597-603
A类：
高电源电压抑制比,共源共栅运放
B类：
PSRR,带隙基准电压源,集成电路产业,电子行业,模拟集成电路,Power,supply,voltage,rejection,ratio,共源共栅结构,输出端,低通滤波器,设计优化策略,SMIC,CMOS,Cadence,电路设计,版图,出带,ppm,dB,图面,DRC,LVS,真得,性能要求,低温度系数
AB值：
0.291152
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