典型文献
碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究
文献摘要：
针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题,Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术.本文结合模拟仿真与实际测温调温,对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性.在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响.VB法中,Cd源处控制温度快速下降,晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷.VGF法中,在Cd源控制温度达到820～790℃范围内时,虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般,但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善.
文献关键词：
碲锌镉晶体;Cd源控制晶体生长
中图分类号：
作者姓名：
刘江高;李轩;徐强强;范叶霞;侯晓敏;刘铭;吴卿
作者机构：
华北光电技术研究所,北京 100015
文献出处：
引用格式：
[1]刘江高;李轩;徐强强;范叶霞;侯晓敏;刘铭;吴卿-.碲锌镉晶体Cd源控制生长技术研究)[J].激光与红外,2022(05):730-733
A类：
B类：
碲锌镉晶体,源控制,CdZnTe,中二,二次相,缺陷问题,缺陷抑制,抑制技术,模拟仿真,测温,调温,VB,VGF,可控性,温度控制,控制条件,缺陷尺寸,快速下降,尾端,端出,三角形,夹杂缺陷,心部,问题改善,尾部,晶体生长
AB值：
0.408438
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
