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退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响
文献摘要：
采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO.利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响.结果表明:退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想.
文献关键词：
Li掺杂ZnO纳米晶;退火温度;缺陷调控;紫外光谱特性
中图分类号：
作者姓名：
胡晓亮;朱宾宾;崔慧芹;王倩茹;周锋子
作者机构：
麦斯克电子材料股份有限公司,河南 洛阳 471003;河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳 471000
文献出处：
引用格式：
[1]胡晓亮;朱宾宾;崔慧芹;王倩茹;周锋子-.退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响)[J].海峡科技与产业,2022(01):16-18
A类：
紫外光谱特性
B类：
退火温度,Li,ZnO,光电性能,固相反应法,掺杂比例,UV,光谱测量,性能调控,调控效果,较为理想,纳米晶,缺陷调控
AB值：
0.246333
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