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球形收集极结构的二次电子产额测量装置及测量方法
文献摘要:
为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary elec-tron yield,SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置.首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析.随后,测量了Cu材料和Al2 O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱.结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al2O3);不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R2值为0.99864(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10 eV(Cu)和20 eV(Al2 O3)以下,符合相关理论预期.
文献关键词:
二次电子产额;球形收集极;能谱;表面电荷中和
中图分类号:
作者姓名:
温凯乐;刘术林;闫保军;王玉漫;张斌婷;韦雯露;彭华兴
作者机构:
中国科学院高能物理研究所 核探测与核电子学国家重点实验室,北京100049;中国科学院大学,北京100049
文献出处:
引用格式:
[1]温凯乐;刘术林;闫保军;王玉漫;张斌婷;韦雯露;彭华兴-.球形收集极结构的二次电子产额测量装置及测量方法)[J].空间电子技术,2022(04):64-71
A类:
球形收集极,表面电荷中和
B类:
二次电子产额,测量装置,精确测量,入射,电子能量,secondary,elec,tron,yield,SEY,电子能谱,球形结构,测量原理,信号波形,薄膜材料,标准偏差,Al2O3,绝大部分,分集,eV
AB值:
0.226336
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