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我国科研团队取得场效应储能芯片研究新进展
文献摘要：
近日,武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展,相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表.该团队在储能芯片领域,设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件,实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破,进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件.
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[1]-.我国科研团队取得场效应储能芯片研究新进展)[J].河南科技,2022(11):6
A类：
B类：
科研团队,场效应,研究新进展,武汉理工大学,志子,该团,单根,纳米线,电化学储能器件,基元,多点接触
AB值：
0.268966
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