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三维集成电路集成硅通孔的应力应变研究
文献摘要：
采用有限元模拟法研究三维集成电路集成中硅通孔结构在热循环载荷条件下的失效行为,对硅通孔结构的应力应变进行分析.结果表明,硅通孔结构在热循环载荷下顶部Cu焊盘角落附近的SiO2层处具有最大的应力与应变,这表明硅通孔结构中最易失效位置在顶部Cu焊盘角落附近Cu和SiO2的界面处.试验结果与模拟分析一致,进一步验证了模拟结果对硅通孔结构最易失效位置分析的可靠性.
文献关键词：
硅通孔;三维封装;热循环;可靠性;有限元分析法
中图分类号：
作者姓名：
苏鹏;徐鹏程;秦进功;王东;田野
作者机构：
河南工业大学,河南 郑州 450001
文献出处：
引用格式：
[1]苏鹏;徐鹏程;秦进功;王东;田野-.三维集成电路集成硅通孔的应力应变研究)[J].河南科技,2022(04):51-54
A类：
B类：
三维集成电路,硅通孔,应力应变,有限元模拟,模拟法,孔结构,热循环载荷,载荷条件,失效行为,角落,SiO2,应力与应变,失效位置,位置分析,三维封装,有限元分析法
AB值：
0.264599
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