典型文献
广东省第三代半导体创新发展刍议
文献摘要：
第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3)、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体.相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更大的禁带宽度和击穿电场、更高的工作频率和电子漂移饱和速度、更稳定的物理化学性质等优异特性,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的要求.第三代半导体是推动半导体集成电路产业实现"超越摩尔"的重要材料,是新一代通信、新能源汽车、轨道交通、智能电网、新型显示、航空航天等诸多高技术领域无可替代的"核芯",也是实现碳达峰、碳中和、以及新型基础设施建设等国家战略需要的重要环节,正逐渐成为全球各国取得竞争优势的战略高地.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
赵维;韦文求;贺龙飞
作者机构：
广东省科学院半导体研究所;广东省生产力促进中心
文献出处：
引用格式：
[1]赵维;韦文求;贺龙飞-.广东省第三代半导体创新发展刍议)[J].广东科技,2022(01):44-46
A类：
B类：
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AB值：
0.367022
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