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科学家开发出三维垂直场效应晶体管
文献摘要：
通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件.此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率.发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果,将催生新的更小、更环保的数据存储器.
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[1]-.科学家开发出三维垂直场效应晶体管)[J].河南科技,2022(12):2
A类：
B类：
场效应晶体管,栅极,绝缘体,原子层沉积,氧化物半导体,家制,来生,数据存储,存储器,反铁电体,擦除,除数,电荷,写入,IEEE,研讨会
AB值：
0.34283
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