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STT-MRAM在PLC中的应用
文献摘要：
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、快速读写等优点而有望成为下一代非易失性存储器.尤其是近年来STT-MRAM商用芯片的成功问世进一步推动了该技术的研究与应用.本文首先介绍了目前主流的非易失性随机存储器(Non-Volatile Random Access Memory,NVRAM);然后详细阐述了STT-MRAM的研究现状,最后分析了STT-MRAM在PLC/DCS中的应用优势.
文献关键词：
非易失性;STT-MRAM;低功耗
中图分类号：
作者姓名：
冯地明;谢灿华;王庆楠
作者机构：
浙江中控研究院有限公司,浙江 杭州 310011
文献出处：
引用格式：
[1]冯地明;谢灿华;王庆楠-.STT-MRAM在PLC中的应用)[J].中国仪器仪表,2022(06):50-53
A类：
Magnetoresistive,NVRAM
B类：
STT,MRAM,PLC,自旋,磁性,Spin,Transfer,Torque,Based,速读,读写,下一代,非易失性存储器,商用,问世,Non,Volatile,Random,Access,Memory,DCS,应用优势,低功耗
AB值：
0.381886
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