典型文献
单层二硫化钨的气相制备与研究
文献摘要：
单层二硫化钨(WS2)具有约2.0eV的直接带隙,还具有优异的光电性能,是二维(2D)纳米光电子器件和光电传感器领域的重点研究对象,但晶体质量较高的单层WS2的气相生长仍然具有研究价值.在此,我们提出了一种以WO3为前驱体,生长单层WS2纳米片的CVD方法.采用AFM、Raman和OM进行表征,测试结果证明,生长的WS2薄片具有高质量的晶体结构.精确控制WO3前驱体的量,可为CVD生长高质量的WS2纳米片提供一种新的思路.
文献关键词：
二硫化钨;单层;CVD;拉曼
中图分类号：
作者姓名：
豆振军
作者机构：
温州大学化学与材料工程学院碳材料技术研究重点实验室,浙江 温州 325027
文献出处：
引用格式：
[1]豆振军-.单层二硫化钨的气相制备与研究)[J].化工技术与开发,2022(06):30-33
A类：
B类：
二硫化钨,WS2,0eV,带隙,光电性能,2D,光电子器件,光电传感器,晶体质量,相生,WO3,前驱体,纳米片,CVD,AFM,Raman,OM,薄片,晶体结构,精确控制,拉曼
AB值：
0.353326
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
