典型文献
芳基四硫富瓦烯与溴化铜电荷转移复合物的合成及晶体结构
文献摘要：
采用溶液扩散的方法合成了硫原子桥联芳基取代四硫富瓦烯1～4与CuBr2的4种电荷转移复合物(1+·)(Cu2Br6)05、(2+·)(Cu2Br6)0.5、(3+·)(Cu2Br6)0.5和(4+·)(CuBr2).晶体结构研究表明,复合物中阴离子呈现2种构型:八面体型(CuⅡ 2Br6)2-和直线型(Cu1 Br2)-,并且4种复合物呈现不同的堆积结构.通过调控芳基上卤素原子取代位置和大小,实现了对电荷转移复合物堆积结构和阴离子构型的有效调控.
文献关键词：
四硫富瓦烯;溴化铜;晶体结构;电荷转移复合物
中图分类号：
作者姓名：
马龙飞;祝招辉;黄小波
作者机构：
河南警察学院刑事科学技术系,郑州 450046
文献出处：
引用格式：
[1]马龙飞;祝招辉;黄小波-.芳基四硫富瓦烯与溴化铜电荷转移复合物的合成及晶体结构)[J].无机化学学报,2022(05):821-828
A类：
四硫富瓦烯,溴化铜,电荷转移复合物,CuBr2,Cu2Br6,2Br6
B类：
晶体结构,桥联,联芳基,1+,2+,3+,4+,结构研究,阴离子,八面体,体型,直线型,Cu1,堆积结构,卤素原子,代位,有效调控
AB值：
0.224936
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